碳化硅（SiC）是制造半導體器件及材料的優良材料之一，但其在工藝流程中，會不可避免產生晶格缺陷等情況，而快速退火能夠實現金屬合金、雜質激活、晶格修復等目的。在近些年高速發展的化合物半導體、光電子、先進集成電路等細分領域，快速退火發揮了無法取代作用。
01快速退火在化合物半導體中的應用【快速退火爐】
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成中的一種化合物半導體材料，具備硬度高、熱導率高、熱穩定性好等優點，在半導體領域具備廣泛的應用前景。
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由于碳化硅器件的部分工藝要高溫下完成，這就給器件的制造和封測帶來了比較大的難度。比如，在摻雜步驟中，傳統式硅基材料能用擴散的方式完成摻雜，但是由于碳化硅擴散溫度遠高于硅，因此需要采用高溫離子注入的形式。而高能量的離子注入會破壞碳化硅材料原先的晶格結構，所以必須采用快速退火工藝修復離子注入所帶來的晶格損傷，消除或減輕晶體應力和缺陷，提高結晶質量。
02什么叫快速退火爐（RTPSYSTEM）【快速退火爐】
快速退火爐是運用鹵素紅外燈作為熱源，通過極快的升溫速率，將材料在極短的時間內從室溫加熱到300℃-1250℃，從而消除材料內部有些缺陷，改善產品性能。
03快速退火爐產品介紹
全自動雙腔快速退火爐
RTP-DTS-8是款全自動雙腔快速退火設備，可兼容6-8英寸晶圓Wafer。
產品的優勢
?全自動雙腔設計，有效提高產能
?最高的溫度可達1250℃，具備超高溫場均勻性
?具備穩定的溫度重現性
?可以滿足SIC量產化制程需求
半自動快速退火爐
RTP-SA-12是在保護氣氛下的半自動立式快速退火系統，可兼容4-12英寸晶圓Wafer。
產品的優勢
?選用紅外鹵素燈管加熱，冷卻選用風冷；
?快速PID溫控，可精準控制溫度升溫，保證良好的重現性和溫度均勻性；
?選用平行氣路進氣方式，氣體進出口設置在晶圓表面，防止退火過程中冷點產生，保證良好的溫度均勻性；
?大氣與真空處理方式均可選擇，完成進氣前氣體凈化處理；
?標配兩組工藝氣體，最多可擴展至6組工藝氣體。
桌面型快速退火爐【快速退火爐】
RTP-TABLE-6是款桌面型快速退火設備，標配三組工藝氣體，可最大兼容6英寸晶圓Wafer。
產品優勢
?紅外鹵素燈管加熱，冷卻采用風冷；
?采用快速PID溫控，可精準控制溫度升溫，保證良好的重現性和溫度均勻性；
?采用平行氣路進氣方式，氣體進出口設置在晶圓表面，避免退火過程中冷點產生，保證良好的溫度均勻性；
?大氣與真空處理方式均可選擇，實現進氣前氣體凈化處理。
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