半導體行業快速退火爐（RTP）是一種加熱設備，能夠在短時間內將半導體材料快速加熱至高溫度，并且通過快速冷卻的形式使其達到極高的溫度梯度。快速退火爐在半導體材料制造中廣泛應用，如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制備、SiC材料晶體生長以及拋光后退火等。
一、快速退火爐原理
半導體行業快速退火爐根據高功率的電熱元件，如加熱電阻來產生高溫。在快速退火爐中，一般采用氫氣或氮氣作為氣氛保護，以避免半導體材料高溫氧化與污染。半導體材料在高溫下快速退火后，會再次結晶和再結晶，從而使得晶體缺陷降低，改進半導體的電學性能，提高設備的可靠性和使用壽命。
1.1快速退火（RTA）? ? ? ? ? ? ??【RTA快速退火爐】
和傳統退火相比較，快速退火具有更強的加熱和冷卻速度。通過快速加熱和冷卻，可以縮短退火時間，提高工作效率。
1.2快速熱處理（RTP）? ? ? ? ? 【RTP快速退火爐】
熱處理是半導體制造中的一項關鍵技術，它能夠改變材料的微觀結構和性能。在熱處理過程中，材料被加熱到高溫度，隨后進行保溫和冷卻。在這個過程中，材料內部的原子會發生重新排列，從而改善材料的物理、化學和機械性質。
二、半導體行業退火爐的應用領域
1.封裝工藝
在封裝工藝中，快速退火爐主要運用于引線的切割和組裝。引線經過切割和組裝后，可能產生內應力，影響封裝的穩定性和可靠性。通過快速退火處理，能消除引線內的應力，提升封裝的穩定性和可靠性，保證產品的使用壽命。
2.CMOS器件后端制程? ? ? ? ? ? ? ??【RTP快速退火爐】
在CMOS器件后端制程中，快速退火爐可以用來修復制程中產生的損傷和缺陷，增強器件的電學性能。通過快速退火處理，能夠減少CMOS器件中的氧化物陷阱電荷和界面態密度，提升器件的穩定性和壽命。
3.GaN薄膜制備
GaN是一種重要的寬禁帶半導體材料，具有優良的光電性能和穩定性。在GaN薄膜制備過程中，快速退火爐可以用來提升薄膜的結晶質量和表面平滑度。通過快速退火處理，能消除薄膜中的應力，降低缺陷，提升GaN薄膜的光電性能和穩定性。
4.SiC材料晶體生長
SiC是一種具有高熱導率、高擊穿電壓、高飽和電子速度等優良特性的寬禁帶半導體材料。在SiC材料晶體生長過程中，快速退火爐可以用來提升晶體生長的質量和尺寸，降低缺陷和氧化。通過快速退火處理，能消除晶體中的應力，提升SiC材料的晶體品質和性能。
