在50年代初半導體工業初期，晶圓的直徑只有三英寸。從那以后，晶圓尺寸平穩提升，造成以較低的成本與更高生產效率生產制造更多的芯片。半導體晶圓有很多種直徑，從25.4毫米（1英寸）到300毫米（11.8英寸）不等。盡管450毫米（18英寸）晶圓直徑可以用，但還沒有廣泛應用。【晶圓測溫系統】
產品晶圓的厚度和直徑一定要和晶圓將用于制作的材料的機械強度和其它物理質量相對應。產品務必足夠堅實以支撐其凈重不會在對待晶圓各種應用的產品時破碎。隨著在切片制造中加入更多材料，晶圓的直徑提升，晶圓的重量也增加。當添加了足夠的重量后，直徑不能提升，因為它會損害切片的強度。
倘若重物放置不當，比較小壓力就足夠破壞晶圓。切片晶圓務必經過加工才能用于制作。CMP工藝和研磨化工品用以將晶圓的粗糙拋光工藝至完美光滑的表面。無可挑剔的表面使晶圓表面的印刷電路布局更容易。
1.EdgeDie(chips):視為生產制造損耗。晶圓邊緣芯片。晶圓越多，芯片損害越少。
2.劃線：在功能一部分中間，有狹窄的非功能區域，鋸還可以在這個區域正確地切割晶圓不會破壞電路。這種薄的區是劃線
3.芯片：有電子電路圖案的一小塊硅
4.平面區：晶圓的邊緣被拉平可以幫助晶圓定位和類型識別。
5.測試元件組(TEG)：顯示芯片實際物理特性（二極管、電路、電容器、晶體管和電阻器）的原型圖案，便于對它進行測試以了解其有沒有問題工作。【晶圓測溫系統】
所有的硅晶圓都是很有使用的組件，僅僅有著不同的變化用以不同的效果。因而，首先要了解不同種類的硅晶圓。現階段常見的硅片分為兩種。這些都是：
未摻雜硅晶片，又稱為本征或浮區(FZ)，在其中沒有摻雜劑。他們由嚴格的純晶體硅制成。這種硅片被公認為理想的半導體。
摻雜硅片在產生全過程中向硅晶體中引入摻雜劑（某種雜質）所形成的。當硼被導入到混合物中時，就會產生P型摻雜硅晶片。P型硅片有很多帶正電的空穴。為了生產制造N型摻雜硅晶片，將添加磷、砷或銻等元素。N型硅片里有一個帶負電的電子。晶圓中發現的摻雜劑數量將確定它是退化還是外來。簡并代表著在其中有更加高濃度摻雜劑，而外在代表著它有很少或中等摻雜劑。【晶圓測溫系統】
由于其優越的性能和品質，硅片自問世以來就被廣泛應用于航空領域。硅晶片在航空工業中經常用作覆蓋和粘合材料，并用于保護和隔離精密工具免受極端溫度的影響。幾十年來，由于其廣泛的使用和耐高溫性，它一直是一個不錯且值得信賴的選擇。有機硅是該行業中最常用的材料。在長鏈氧以及硅成分上形成的具有化學凝聚力的聚合物構成了其中的大部分。硅晶圓對飛機原始設備制造 (OEM) 以及維修、維護和大修非常有幫助。
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