快速退火爐（RapidThermalProcessing，RTP）采用紅外輻射加熱技術，能夠實現樣品的快速升溫和降溫，同時搭配超高精度溫度控制系統，能夠達到極好的溫場均勻度，可用工藝包括和離子注入工藝配合使用以達到晶圓摻雜、金屬薄膜沉積后金屬硅化物燒結、晶圓表面改性（氧化、氮化）等。
芯片的制造過程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的生產加工過程，在空白硅片上完成電路的處理，在出廠產品是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測試的一個過程，在封測廠中將圓形的硅片切割成獨立的芯片顆粒，進行外殼的封裝，最后完成終端測試，在出廠為芯片成品。
【RTP快速退火爐】
集成電路前道芯片工藝熱處理流程
在前道工藝的離子注入環節中，高能摻雜物離子（硼、磷等）對晶圓表面的硅晶體結構造成破壞。所以在離子注入后必須充分運用加熱退火工藝對晶格的損傷進行處理，使其恢復單晶結構并激活摻雜物，當摻雜原子在單晶晶格位置時，才能更好的供應電子或空穴作為傳導電流的核心載流子。
所以，快速退火爐在半導體工藝設備中是不可缺少的一份子。即使快速退火爐屬于相對來說技術難度較低領域，但早期的的市場競爭中，還是被歐美日韓等外資企業占據著主導地位。特別是高端的快速退火爐，我國科研單位和高等院校使用需求常常會被外資企業嚴苛的條件和高昂的價格所限制。【RTP快速退火爐】
以美國為首的西方國家對我國的限制打擊早已有之，96年簽訂了《瓦森納協議》已經成為主要是針對中國實行“落差戰略”的可怕武器。這也是導致中國著名的“908工程”和“909工程”的未能達到預期的目標。現如今中國因為缺少原創技術，高級技術設備被逐層加鎖。特別是半導體行業，由于某些高端的半導體設備的限制入口，中國高端集成電路（芯片）嚴重國外進口。根據國家統計局數據顯示，2021年，我國進口的集成電路（芯片），達到27935億元！而且增速達到了15.4%！
【RTP快速退火爐】
2015年3月5日，李克強在全國兩會上作《政府工作報告》時首提“中國制造2025”的宏大計劃。2015年3月25日，李克強研究部署國務院常務會議，部署加快推進實施“中國制造2025”，實現制造業升級。也正是這次國務院常務會議，審議通過了《中國制造2025》。2015年5月19日，國務院正式印發《中國制造2025》。【RTP快速退火爐】
中國制造2025》的目的就是為了改變我國從低端制造商到高端生產商的認識，改變國內工業水平大而不強的局
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