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      【晶圓測溫系統】晶圓是什么,制作流程?

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      廣東瑞樂科技專注于高精度溫測、溫控設備的生產和研發定做,為半導體行業提供科學的國產解決方法,更多有關TC Wafer?晶圓測溫系統資訊請關注瑞樂官網

      晶圓就是指制作硅半導體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,再慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在通過研磨,拋光,切片后,形成硅晶圓片,也就是晶圓。國內晶圓生產線以8英寸和12英寸為主。晶圓測溫系統

      晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即與此同時加工1片或多片晶圓。伴隨著半導體特征尺寸愈來愈小,加工和測量儀器越來越先進,促使晶圓加工出現了新的數據特點。與此同時,特征尺寸的減小,促使晶圓加工時,空氣中粒狀數對晶圓加工后質量及穩定性的作用變大,不過隨著潔凈的提高,顆粒數量也出現了新的數據特點。晶圓測溫系統

      化學氣相沉積要在制造微電子器件時被用于沉積出某類薄膜的技術,這類薄膜有可能是介電材料或半導體。物理氣相沉積技術乃是采用惰性氣體,撞擊濺鍍靶材,在晶圓表層沉積出所需要的材質。制程反應室內的高溫和真空環境可以讓這些金屬原子結成晶粒,在通過圖案化(patterned)和蝕刻,獲得所需要的導電電路。晶圓測溫系統

      光學顯影是把光罩上的圖形轉換到薄膜上。光學顯影一般包括光阻涂布、烘烤、光照對準、曝光和顯影等步驟。干式蝕刻是最常用的蝕刻方式,以氣體為主要的蝕刻媒介,由電漿來驅動反應。蝕刻是把表層某類沒有用的材質部分去除。

      化學機械研磨(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)是既有機械研磨還有酸堿溶液式的化學研磨兩種相結合的技術,可以讓晶圓表層比較平坦,便于后期生產工序。在進行研磨時,研磨漿在晶圓和研磨墊之間。作用CMP的因素有:研磨頭的壓力和晶圓平坦度,旋轉速度,研磨漿的化學成分等等。晶圓測溫系統

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