第1代半導體材料簡述第1代半導體材料主要指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。作為第1代半導體材料的鍺和硅，在全球信息產業技術中的各類分立器件和應用極其常見的集成電路、電子信息技術網絡工程、計算機、電話、電視機、航天工程、各種軍事工程和飛速發展的新能源、硅光伏產業中都獲得了極其廣泛應用，硅芯片在人類社會各個角落沒有不閃耀著它的光芒。【TC Wafer】
第2代半導體材料簡述第2代半導體材料主要指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導體（又稱非晶態半導體），如非晶硅、玻璃態氧化物半導體；有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。
第2代半導體材料具體用于制造高速、高頻、大功率及發光電子器件，是制造高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料。因信息高速公路和互聯網的興起，還被廣泛應用于衛星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等行業領域。【TC Wafer】
第三代半導體材料簡述第三代半導體材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg》2.3eV）半導體材料。在領域應用，依據第三代半導體的發展情況，其主要用途為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其它4個領域，每個領域產業成熟度不盡相同。在前沿研究行業領域，寬禁帶半導體還處于實驗室研發階段。
和第1代、第2代半導體材料相比，第三代半導體材料具備寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因此更適用于制作高溫、高頻、抗輻射和大功率器件，一般也被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬度大于2.2ev），又稱為高溫半導體材料。【TC Wafer】
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